на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3805.38 грн |
| 10+ | 3410.22 грн |
| 20+ | 2866.19 грн |
| 50+ | 2767.63 грн |
| 100+ | 2733 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN90N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN90N85X за ціною від 3866.69 грн до 3866.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFN90N85X | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 VDrain-Source-Spannung Vds: 850 Dauer-Drainstrom Id: 90 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 1.2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IXFN90N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 90A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||
| IXFN90N85X | Виробник : IXYS |
IXFN90N85X Transistor modules MOSFET |
товар відсутній |
||||||
 |
IXFN90N85X | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V |
товар відсутній |