IXFN94N50P2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1591.2 грн |
2+ | 1397.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN94N50P2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN94N50P2 за ціною від 1332.54 грн до 2249.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFN94N50P2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A Technology: HiPerFET™; Polar2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 68A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 780W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 55mΩ Gate charge: 0.22µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN94N50P2 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules MSFT N-CH HIPERFET POLAR2 MINI |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN94N50P2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFN94N50P2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 68A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |