IXFP10N60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 172.14 грн |
| 7+ | 150.13 грн |
| 17+ | 142.27 грн |
| 50+ | 137.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP10N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP10N60P за ціною від 144.96 грн до 326.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFP10N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 200W Case: TO220AB On-state resistance: 0.74Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 32nC Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFP10N60P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFP10N60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600 |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFP10N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |