IXFP10N60P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.74Ω
Reverse recovery time: 120ns
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 451.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP10N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP10N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP10N60P | IXYS |
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600 |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFP10N60P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)