Продукція > IXYS > IXFP10N60P
IXFP10N60P

IXFP10N60P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.98 грн
7+149.12 грн
17+141.32 грн
50+136.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP10N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP10N60P за ціною від 144.54 грн до 324.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3172A28B93820&compId=IXFA(P)10N60P.pdf?ci_sign=de7479bbe4bb559868fc81e62408fc15628ae2c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.19 грн
3+213.07 грн
7+178.95 грн
17+169.58 грн
50+163.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.50 грн
50+157.34 грн
100+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : IXYS media-3319600.pdf MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.42 грн
10+301.68 грн
50+156.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.