Продукція > IXYS > IXFP10N60P
IXFP10N60P

IXFP10N60P IXYS

171448752littelfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsix.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP10N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP10N60P за ціною від 142.49 грн до 325.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.68 грн
3+197.63 грн
10+174.67 грн
50+158.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : IXYS IXFA(P)10N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.02 грн
3+246.28 грн
10+209.61 грн
50+189.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_10N60P_Datasheet.PDF MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.14 грн
10+210.95 грн
100+170.05 грн
500+144.07 грн
1000+142.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP10N60P IXFP10N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.