на замовлення 298 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 365.11 грн |
| 10+ | 302.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP110N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP110N15T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP110N15T2 Код товару: 113183 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
IXFP110N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP110N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP110N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP110N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO220AB; 85ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFP110N15T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP110N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO220AB; 85ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 85ns |
товар відсутній |