на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 350.99 грн |
| 10+ | 184.81 грн |
| 100+ | 153.09 грн |
| 500+ | 143.19 грн |
| 1000+ | 140.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP12N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFP12N50P за ціною від 176.01 грн до 371.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP12N50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFP12N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFP12N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFP12N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC On-state resistance: 0.5Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 12A Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFP12N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFP12N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC On-state resistance: 0.5Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 12A Drain-source voltage: 500V |
товару немає в наявності |