Продукція > IXYS > IXFP12N65X2
IXFP12N65X2

IXFP12N65X2 IXYS

IXF_12N65X2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.70 грн
6+158.63 грн
16+150.20 грн
100+148.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP12N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFP12N65X2 за ціною від 142.72 грн до 364.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-12n65x2-datasheet?assetguid=ca7fb720-7825-4c0e-b2dd-7746de20884a Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.51 грн
50+173.04 грн
100+159.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.76 грн
10+184.86 грн
100+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Виробник : IXYS media-3322978.pdf MOSFETs 650V/12A TO-220
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.47 грн
10+272.42 грн
50+165.53 грн
100+152.29 грн
500+142.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 Виробник : IXYS IXF_12N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.45 грн
6+197.68 грн
16+180.24 грн
100+178.40 грн
250+173.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP12N65X2
Код товару: 173233
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IXYS ixfp12n65x2m_ixfp12n65x2_ixfa12n65x2_ixfh12n65x2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 650 V
Idd,A: 12 A
Rds(on), Ohm: 310 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1134/18,5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.