IXFP130N10T2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 279.35 грн |
3+ | 232.97 грн |
5+ | 188.46 грн |
12+ | 178.73 грн |
50+ | 178.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP130N10T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP130N10T2 за ціною від 213.64 грн до 335.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFP130N10T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP130N10T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 10.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFP130N10T2 | Виробник : IXYS | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
товар відсутній |