Продукція > IXYS > IXFP14N60P

IXFP14N60P IXYS

Name: IXFP14N60P
Brand: IXYS
SKU: 147677-4
Price: 443.00 UAH
Availability: InStock

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_14N60P_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 14A

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	443.00 грн
10+	341.18 грн
100+	178.91 грн
500+	162.30 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFP14N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP14N60P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFP14N60P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFP14N60P	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFP14N60P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 0.55Ω Drain current: 14A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.