на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 444.81 грн |
| 10+ | 342.57 грн |
| 100+ | 197.07 грн |
| 500+ | 193.28 грн |
| 1000+ | 178.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP14N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP14N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP14N60P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFP14N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFP14N60P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFP14N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC |
товару немає в наявності |