IXFP14N85XM IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 392.2 грн |
3+ | 328.11 грн |
4+ | 248.34 грн |
9+ | 234.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP14N85XM IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP14N85XM за ціною від 222.42 грн до 470.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFP14N85XM | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFP14N85XM | Виробник : IXYS | MOSFET 850V/14A UlJun XCl |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFP14N85XM | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 14A Power dissipation: 38W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 116ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFP14N85XM | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXFP14N85XM | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXFP14N85XM | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 850V 14A Automotive 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
товар відсутній |