на замовлення 2200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 351.28 грн |
| 10+ | 300.96 грн |
| 50+ | 235 грн |
| 100+ | 202.29 грн |
| 250+ | 187.6 грн |
| 500+ | 174.25 грн |
| 1000+ | 149.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP16N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP16N50P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP16N50P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP16N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP16N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP16N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFP16N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP16N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |