Продукція > IXYS > IXFP180N10T2
IXFP180N10T2

IXFP180N10T2 IXYS

IXFA(P)180N10T2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+390.94 грн
3+321.07 грн
4+289.04 грн
9+273.03 грн
50+268.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP180N10T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP180N10T2 за ціною від 240.14 грн до 512.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 Виробник : IXYS IXFA(P)180N10T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.13 грн
3+400.11 грн
4+346.85 грн
9+327.63 грн
50+322.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 Виробник : Littelfuse Inc. IXF%28A%2CP%29180N10T2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.69 грн
50+268.18 грн
100+248.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 Виробник : IXYS media-3323852.pdf MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.50 грн
10+387.30 грн
50+240.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP180N10T2 IXFP180N10T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_180n10t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.