IXFP180N10T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.90 грн |
| 3+ | 341.15 грн |
| 4+ | 300.69 грн |
| 9+ | 284.03 грн |
| 50+ | 273.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP180N10T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP180N10T2 за ціною від 249.82 грн до 521.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP180N10T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFP180N10T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFP180N10T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 66ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFP180N10T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFP180N10T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |