Продукція > IXYS > IXFP20N85X
IXFP20N85X

IXFP20N85X IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_20N85X_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.04 грн
10+487.45 грн
100+362.43 грн
500+358.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP20N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFP20N85X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP20N85X IXFP20N85X Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_20n85x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X IXFP20N85X IXYS IXFH(P)20N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_20n85x_datasheet.pdf.pdf
IXFP20N85X
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP20N85X IXFH(P)20N85X.pdf
IXFP20N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.