
IXFP20N85X IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 20A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 63nC
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 174.72 грн |
10+ | 167.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP20N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP20N85X за ціною від 200.47 грн до 660.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP20N85X | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 20A; 540W; TO220AB; 190ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 20A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 63nC Reverse recovery time: 190ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP20N85X | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFP20N85X | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFP20N85X | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |