Інші пропозиції IXFP22N65X2M за ціною від 195.13 грн до 486.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP22N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.145Ω Reverse recovery time: 145ns Mounting: THT Power dissipation: 37W Gate charge: 37nC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; X2-Class Drain current: 22A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220AB |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFP22N65X2M | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFP22N65X2M | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFP22N65X2M | IXYS |
MOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220 |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Reverse recovery time: 145ns
Mounting: THT
Power dissipation: 37W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 367.29 грн |
| 10+ | 195.13 грн |
| IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 390.31 грн |
| IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 486.86 грн |
| 10+ | 315.27 грн |
| 50+ | 249.56 грн |
| 100+ | 214.37 грн |
| IXFP22N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
MOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| BYC8X-600P,127 Код товару: 210071
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






