IXFP22N65X2M Ixys Corporation
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 287.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP22N65X2M Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP22N65X2M за ціною від 176.68 грн до 435.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP22N65X2M | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 37W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Technology: HiPerFET™; X2-Class |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFP22N65X2M | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFP22N65X2M | Виробник : IXYS |
MOSFETs 650V/22A OVERMOLDED TO-220 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXFP22N65X2M | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 37W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 145ns Technology: HiPerFET™; X2-Class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXFP22N65X2M Код товару: 210072
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IXFP22N65X2M | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXFP22N65X2M | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
товару немає в наявності |