IXFP26N50P3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 471.99 грн |
| 3+ | 349.52 грн |
| 7+ | 330.26 грн |
| 50+ | 324.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP26N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP26N50P3 за ціною від 389.7 грн до 598.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFP26N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 500W Case: TO220AB On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 271 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFP26N50P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFP26N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFP26N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFP26N50P3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
товар відсутній |