Продукція > IXYS > IXFP26N50P3
IXFP26N50P3

IXFP26N50P3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.58 грн
3+403.04 грн
7+380.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP26N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP26N50P3 за ціною від 359.91 грн до 749.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Виробник : IXYS media-3322528.pdf MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.44 грн
10+444.95 грн
500+379.30 грн
1000+371.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.19 грн
50+386.88 грн
100+359.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AFB180D4E852E143&compId=IXFH26N50P3.pdf?ci_sign=96ca4b01122992fdeaebf66ee18c5319168d1131 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.49 грн
3+502.25 грн
7+456.99 грн
500+439.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP26N50P3 IXFP26N50P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.