IXFP30N25X3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 471.61 грн |
| 10+ | 280.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP30N25X3 IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3.
Інші пропозиції IXFP30N25X3 за ціною від 203.07 грн до 527.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP30N25X3 | IXYS |
MOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFP30N25X3 | IXYS |
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 |
на замовлення 2324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXFP30N25X3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 521.90 грн |
| 10+ | 317.56 грн |
| IXFP30N25X3 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 527.33 грн |
| 50+ | 275.23 грн |
| 100+ | 252.81 грн |
| 500+ | 203.07 грн |