Продукція > IXYS > IXFP30N25X3
IXFP30N25X3

IXFP30N25X3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.62 грн
4+295.22 грн
9+279.35 грн
50+268.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP30N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP30N25X3 за ціною від 235.43 грн до 567.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.36 грн
50+376.80 грн
100+337.14 грн
500+279.17 грн
1000+251.25 грн
2000+235.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_30N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.19 грн
10+307.52 грн
100+265.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO220AB; 82ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.15 грн
4+367.89 грн
9+335.22 грн
50+321.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 IXFP30N25X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N25X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.