Продукція > IXYS > IXFP30N60X
IXFP30N60X

IXFP30N60X IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP30N60X IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Case: TO220AB, On-state resistance: 155mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 145ns, Power dissipation: 500W, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Gate charge: 56nC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFP30N60X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP30N60X IXFP30N60X Виробник : IXYS DS100667(IXFA-FP30N60X).pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFP30N60X Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_30N60X_2of2_Datasheet.PDF MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFP30N60X Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC33AE48335820&compId=IXFA(P)30N60X.pdf?ci_sign=3f4e92311c2721a4ac346223cdc73b4815585cbc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.