Продукція > IXYS > IXFP30N60X
IXFP30N60X

IXFP30N60X IXYS

DS100667(IXFA-FP30N60X).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP30N60X IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 30A, Power dissipation: 500W, Case: TO220AB, On-state resistance: 155mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 56nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 145ns, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class.

Інші пропозиції IXFP30N60X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP30N60X IXFP30N60X IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_30N60X_2of2_Datasheet.PDF MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFP30N60X IXYS IXFA(P)30N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_30N60X_2of2_Datasheet.PDF
IXFP30N60X
Виробник: IXYS
MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP30N60X IXFA(P)30N60X.pdf
IXFP30N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.