IXFP34N65X2


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet?assetguid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90
Код товару: 180236
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFP34N65X2 за ціною від 243.81 грн до 690.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : Littelfuse ediscretemosfetsnchannelultrajunctionixf34n65x2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+379.08 грн
100+348.91 грн
500+327.00 грн
1000+312.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : Littelfuse ediscretemosfetsnchannelultrajunctionixf34n65x2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+379.08 грн
100+348.91 грн
500+327.00 грн
1000+312.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 164ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.57 грн
5+378.33 грн
10+334.07 грн
25+325.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet?assetguid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90 Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.31 грн
50+342.14 грн
100+315.16 грн
500+251.45 грн
1000+243.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_34N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+690.48 грн
10+349.49 грн
100+293.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.