
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 332.99 грн |
100+ | 306.49 грн |
500+ | 287.25 грн |
1000+ | 274.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP34N65X2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP34N65X2 за ціною від 223.76 грн до 584.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 540W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO220AB On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 164ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFP34N65X2 Код товару: 180236
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
IXFP34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IXFP34N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |