на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 587.82 грн |
| 10+ | 409.22 грн |
| 100+ | 296.01 грн |
| 500+ | 239.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP34N65X2W IXYS
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP34N65X2W
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP34N65X2W | Виробник : IXYS |
Description: 650V 100m 34A X2-Class HiPerFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |