IXFP34N65X3

IXFP34N65X3 Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp34n65x3-datasheet?assetguid=b8b82367-8165-4fdb-9be0-fbb097cfcc0b Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 34A 650V X3 TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3 (IXFP)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.66 грн
50+368.44 грн
100+349.95 грн
500+305.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP34N65X3 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXFP34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFP34N65X3 за ціною від 363.60 грн до 637.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 Виробник : LITTELFUSE littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp34n65x3-datasheet?assetguid=b8b82367-8165-4fdb-9be0-fbb097cfcc0b Description: LITTELFUSE - IXFP34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+617.31 грн
5+558.72 грн
10+500.12 грн
50+409.99 грн
100+370.67 грн
250+363.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 Виробник : IXYS media-3322676.pdf MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.71 грн
10+582.07 грн
50+400.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Discrete MOSFET 34A 650V X3 TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp34n65x3-datasheet?assetguid=b8b82367-8165-4fdb-9be0-fbb097cfcc0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfp34n65x3-datasheet?assetguid=b8b82367-8165-4fdb-9be0-fbb097cfcc0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.