Продукція > IXYS > IXFP36N20X3M

IXFP36N20X3M IXYS


media-3323873.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+352.76 грн
10+264.37 грн
50+205.03 грн
100+178.80 грн
250+164.30 грн
500+161.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP36N20X3M IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFP36N20X3M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP36N20X3M IXFP36N20X3M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp36n20x3m_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP36N20X3M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp36n20x3m_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.