
IXFP4N100P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 258.71 грн |
3+ | 216.59 грн |
6+ | 172.36 грн |
15+ | 162.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP4N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP4N100P за ціною від 194.93 грн до 310.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFP4N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26nC Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Power dissipation: 150W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFP4N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |