на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.57 грн |
| 6+ | 210.22 грн |
| 15+ | 198.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP4N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP4N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFP4N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 4 Amps 1000V |
товару немає в наявності |