Продукція > IXYS > IXFP4N100P
IXFP4N100P

IXFP4N100P IXYS

IXFA(P)4N100P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
Power dissipation: 150W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.52 грн
3+221.23 грн
10+195.15 грн
50+176.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP4N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP4N100P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP4N100P IXFP4N100P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100P IXFP4N100P Виробник : IXYS media-3322705.pdf MOSFETs 4 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.