Технічний опис IXFP4N100P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 4A, Power dissipation: 150W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Gate charge: 26nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFP4N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP4N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFP4N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP4N100P | Виробник : IXYS |
MOSFET 4 Amps 1000V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFP4N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |