IXFP4N100P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.33 грн |
| 3+ | 225.25 грн |
| 10+ | 198.70 грн |
| 50+ | 179.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP4N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFP4N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100P | IXYS |
MOSFETs 4 Amps 1000V |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFP4N100P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 4 Amps 1000V
MOSFETs 4 Amps 1000V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)