Продукція > IXYS > IXFP4N100Q
IXFP4N100Q

IXFP4N100Q IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+406.83 грн
10+329.00 грн
100+266.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP4N100Q IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1, Dauer-Drainstrom Id: 4, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFP4N100Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP4N100Q IXFP4N100Q IXYS ixys_98705-1170427.pdf MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q IXFP4N100Q IXYS SEMICONDUCTOR 2044613.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q IXFP4N100Q Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q ixys_98705-1170427.pdf
IXFP4N100Q
Виробник: IXYS
MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q 2044613.pdf
IXFP4N100Q
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP4N100Q media.pdf
IXFP4N100Q
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.