IXFP4N100Q IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 378.19 грн |
| 10+ | 305.84 грн |
| 100+ | 247.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP4N100Q IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP4N100Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100Q | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP4N100Q | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
IXFP4N100Q | Виробник : IXYS |
MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds |
товар відсутній |