Продукція > IXYS > IXFP4N100Q
IXFP4N100Q

IXFP4N100Q IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfp4n100q_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.50 грн
10+332.78 грн
100+269.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP4N100Q IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFP4N100Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP4N100Q IXFP4N100Q Виробник : IXYS ixys_98705-1170427.pdf MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.