IXFP4N85X IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5Ω
Reverse recovery time: 170ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 360.64 грн |
| 50+ | 178.66 грн |
| 100+ | 162.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP4N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFP4N85X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N85X | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFP4N85X | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFP4N85X | Littelfuse |
X-Class HiPERFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFP4N85X |
|
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFP4N85X |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFP4N85X |
|
Виробник: Littelfuse
X-Class HiPERFET Power MOSFET
X-Class HiPERFET Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.