Продукція > LITTELFUSE > IXFP56N30X3M
IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Power MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+494.35 грн
28+473.11 грн
50+455.09 грн
100+423.94 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP56N30X3M Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP56N30X3M за ціною від 317.96 грн до 639.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M Виробник : IXYS IXFP56N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.26 грн
10+404.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp56n30x3m_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.07 грн
50+469.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP56N30X3M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.19 грн
10+368.07 грн
100+317.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP56N30X3M IXFP56N30X3M Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.