IXFP5N100P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 354.20 грн |
| 5+ | 208.55 грн |
| 12+ | 197.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP5N100P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFP5N100P за ціною від 158.71 грн до 426.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP5N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFP5N100P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFP5N100P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFP5N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 33.4nC Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFP5N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 5 Amps 1000V |
на замовлення 452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFP5N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFP5N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |