IXFP5N100P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.4nC
Power dissipation: 250W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 458.06 грн |
| 5+ | 343.26 грн |
| 10+ | 303.46 грн |
| 50+ | 232.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP5N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP5N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP5N100P | IXYS |
MOSFETs 5 Amps 1000V |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFP5N100P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 5 Amps 1000V
MOSFETs 5 Amps 1000V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)