Продукція > IXYS CORPORATION > IXFP5N100P
IXFP5N100P

IXFP5N100P Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+491.69 грн
50+430.56 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 29 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP5N100P Ixys Corporation

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

Інші пропозиції IXFP5N100P за ціною від 217.87 грн до 552.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS IXFA(H,P)5N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+503.93 грн
5+230.25 грн
12+217.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_5N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 5 Amps 1000V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+552.88 грн
10+332.20 грн
100+229.64 грн
500+219.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFP5N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0007088796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXFA(H,P)5N100P.pdf
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 250W
Gate charge: 33.4nC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.93 грн
5+230.25 грн
12+217.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_5N100P_Datasheet.PDF
IXFP5N100P
Виробник: IXYS
MOSFETs 5 Amps 1000V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.88 грн
10+332.20 грн
100+229.64 грн
500+219.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP5N100P IXYS-S-A0007088796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFP5N100P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP5N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 5 A, 2.8 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.