Продукція > IXYS > IXFP60N25X3
IXFP60N25X3

IXFP60N25X3 IXYS

IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+584.32 грн
3+492.13 грн
10+403.63 грн
50+378.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP60N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP60N25X3 за ціною від 322.90 грн до 719.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS DS100807CIXFAFPFQ60N25X3.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 225 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+719.94 грн
10+451.60 грн
100+338.55 грн
500+322.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 DS100807CIXFAFPFQ60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 225 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+719.94 грн
10+451.60 грн
100+338.55 грн
500+322.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.