IXFP60N25X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 521.58 грн |
| 3+ | 385.47 грн |
| 7+ | 364.78 грн |
| 50+ | 358.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP60N25X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP60N25X3 за ціною від 375.20 грн до 716.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP60N25X3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFP60N25X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 50nC Reverse recovery time: 95ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFP60N25X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFP60N25X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFP60N25X3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |