Продукція > IXYS > IXFP60N25X3M
IXFP60N25X3M

IXFP60N25X3M IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A59820&compId=IXFP60N25X3M.pdf?ci_sign=313b25dbeb5aa4d0c3060d4a0514a7fa0f1de198 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.02 грн
3+419.74 грн
10+340.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP60N25X3M IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP60N25X3M за ціною від 323.31 грн до 709.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6A59820&compId=IXFP60N25X3M.pdf?ci_sign=313b25dbeb5aa4d0c3060d4a0514a7fa0f1de198 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.02 грн
3+523.06 грн
10+408.65 грн
50+406.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-60n25x3-datasheet?assetguid=27d3d003-ebe6-4c6c-ad92-c705963c1606 Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.22 грн
50+350.84 грн
100+323.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP60N25X3M_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.59 грн
10+381.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.