Продукція > IXYS > IXFP6N120P
IXFP6N120P

IXFP6N120P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+622.57 грн
3+540.63 грн
10+475.24 грн
25+424.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP6N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP6N120P за ціною від 447.05 грн до 827.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D454445020B820&compId=IXFA(H%2CP)6N120P.pdf?ci_sign=943297d656831e25efec803b2ad2b28ea7b42a34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.09 грн
3+673.70 грн
10+570.29 грн
25+509.05 грн
50+491.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : IXYS Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-IXFP6N120P-Datasheet.pdf MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+827.88 грн
10+638.23 грн
100+462.35 грн
500+447.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-6n120p-datasheet?assetguid=9cf1dfc3-74f0-471e-a74f-b4fdec41c8a9 Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.