IXFP6N120P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 92nC
Power dissipation: 250W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 641.47 грн |
| 3+ | 427.08 грн |
| 6+ | 403.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP6N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP6N120P за ціною від 386.05 грн до 769.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP6N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFP6N120P | Виробник : IXYS |
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFP6N120P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 92nC Power dissipation: 250W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFP6N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFP6N120P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |