Продукція > IXYS > IXFP6N120P
IXFP6N120P

IXFP6N120P IXYS


Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-IXFP6N120P-Datasheet.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.46 грн
10+661.04 грн
100+478.88 грн
500+463.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP6N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP6N120P за ціною від 528.23 грн до 879.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP6N120P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-6n120p-datasheet?assetguid=9cf1dfc3-74f0-471e-a74f-b4fdec41c8a9 IXFP6N120P THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.45 грн
3+558.96 грн
6+528.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_6n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP6N120P IXFP6N120P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-6n120p-datasheet?assetguid=9cf1dfc3-74f0-471e-a74f-b4fdec41c8a9 Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.