IXFP6N120P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 92nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 784.84 грн |
| 3+ | 665.99 грн |
| 10+ | 563.34 грн |
| 25+ | 488.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP6N120P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFP6N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Polar HiPerFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.75, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFP6N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP6N120P | IXYS |
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFP6N120P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)