Продукція > IXYS > IXFP72N30X3M
IXFP72N30X3M

IXFP72N30X3M IXYS


media-3322065.pdf Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.4 грн
50+ 565.28 грн
100+ 439.74 грн
250+ 415.16 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP72N30X3M IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP72N30X3M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFP72N30X3M IXFP72N30X3M Виробник : IXYS IXFP72N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Drain current: 72A
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFP72N30X3M Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixfp72n30x3m_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товар відсутній
IXFP72N30X3M IXFP72N30X3M Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp72n30x3m_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFP72N30X3M IXFP72N30X3M Виробник : IXYS IXFP72N30X3M.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Drain current: 72A
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
товар відсутній