IXFP76N15T2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Mounting: THT
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Mounting: THT
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 278.6 грн |
3+ | 232.97 грн |
5+ | 175.94 грн |
13+ | 166.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP76N15T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP76N15T2 за ціною від 195.61 грн до 376.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFP76N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns Mounting: THT Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 97nC Kind of channel: enhanced Case: TO220AB Reverse recovery time: 69ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 76A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP76N15T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP76N15T2 | Виробник : IXYS | MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP76N15T2 Код товару: 182305 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IXFP76N15T2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |