Продукція > IXYS > IXFP76N15T2
IXFP76N15T2

IXFP76N15T2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 150V
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+346.06 грн
5+220.88 грн
12+208.91 грн
250+201.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP76N15T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP76N15T2 за ціною від 186.01 грн до 415.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 Виробник : IXYS media-3322778.pdf MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.35 грн
10+336.28 грн
50+276.34 грн
100+236.54 грн
250+223.52 грн
500+209.74 грн
1000+186.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D41BF38A751820&compId=IXFA(H%2CP)76N15T2.pdf?ci_sign=e58b954c14aed23e6b59d6e696317db032e28994 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 150V
Reverse recovery time: 69ns
Gate charge: 97nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 350W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.28 грн
5+275.24 грн
12+250.70 грн
250+242.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2
Код товару: 182305
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP76N15T2 IXFP76N15T2 Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_76n15t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.