на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 342.27 грн |
| 500+ | 331.27 грн |
| 1000+ | 281.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP7N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP7N100P за ціною від 314.47 грн до 483.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP7N100P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
IXFP7N100P THT N channel transistors |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXFP7N100P Код товару: 148332
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |


