IXFP7N100P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
On-state resistance: 1.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 363.12 грн |
| 3+ | 298.10 грн |
| 4+ | 268.22 грн |
| 10+ | 253.66 грн |
| 50+ | 249.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFP7N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFP7N100P за ціною від 239.10 грн до 514.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFP7N100P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB Mounting: THT Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 7A On-state resistance: 1.9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 7 Amps 1000V |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFP7N100P Код товару: 148332
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXFP7N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXFP7N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |