Інші пропозиції IXFP7N100P за ціною від 335.36 грн до 541.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFP7N100P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Case: TO220AB On-state resistance: 1.9Ω Reverse recovery time: 300ns Power dissipation: 300W Gate charge: 47nC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; Polar™ Drain current: 7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV |
на замовлення 299 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXFP7N100P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.9Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.9Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 541.28 грн |
| 3+ | 369.32 грн |
| 8+ | 348.95 грн |
| 10+ | 335.36 грн |



