Продукція > IXYS > IXFP7N80P
IXFP7N80P

IXFP7N80P IXYS

IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.58 грн
5+201.55 грн
13+190.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP7N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP7N80P за ціною від 171.60 грн до 359.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP7N80P IXFP7N80P Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF?assetguid=B00D4E8D-827B-4A04-B106-292ED53206EE Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.83 грн
50+187.46 грн
100+171.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P Виробник : IXYS media-3322436.pdf MOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.77 грн
10+352.80 грн
50+181.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P Виробник : IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.49 грн
5+251.16 грн
13+228.98 грн
500+222.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP7N80P IXFP7N80P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_7n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.