Продукція > IXYS > IXFP80N25X3
IXFP80N25X3

IXFP80N25X3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.39 грн
3+409.84 грн
7+388.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFP80N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFP80N25X3 за ціною від 333.58 грн до 808.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+740.38 грн
50+403.96 грн
100+379.04 грн
500+333.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285CE2107E71820&compId=IXFH(P%2CQ)80N25X3.pdf?ci_sign=98dbb1b3debc6aa179f2279e7c8f3d9ef9df9898 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
On-state resistance: 16mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+768.47 грн
3+510.72 грн
7+465.82 грн
500+447.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Виробник : IXYS media-3319152.pdf MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.04 грн
10+710.28 грн
50+390.47 грн
100+375.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP80N25X3 IXFP80N25X3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.