IXFQ20N50P3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 402.94 грн |
| 10+ | 325.91 грн |
| 30+ | 277.66 грн |
| 60+ | 248.03 грн |
| 120+ | 235.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ20N50P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 380W, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції IXFQ20N50P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ20N50P3 | IXYS |
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFQ20N50P3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)