Продукція > IXYS > IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3

IXFQ20N50P3 IXYS

IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+392.02 грн
10+317.08 грн
30+270.13 грн
60+241.31 грн
120+228.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ20N50P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 380W, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

Інші пропозиції IXFQ20N50P3 за ціною від 256.40 грн до 548.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.82 грн
30+305.38 грн
120+256.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.82 грн
30+305.38 грн
120+256.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-20n50p3-datasheet?assetguid=17d5b834-f5fe-4724-bef9-f55d728d93a8
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ20N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N50P3_Datasheet.PDF
IXFQ20N50P3
Виробник: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.