
IXFQ28N60P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 586.51 грн |
30+ | 328.04 грн |
120+ | 275.97 грн |
510+ | 227.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ28N60P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFQ28N60P3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFQ28N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFQ28N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO3P On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFQ28N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFQ28N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 695W Case: TO3P On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |