Продукція > IXYS > IXFQ50N60P3
IXFQ50N60P3

IXFQ50N60P3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.86 грн
2+502.92 грн
6+475.03 грн
120+457.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ50N60P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFQ50N60P3 за ціною від 548.99 грн до 989.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.83 грн
2+626.72 грн
6+570.03 грн
120+548.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_50n60p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 Виробник : IXYS IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.