Продукція > IXYS > IXFQ60N25X3
IXFQ60N25X3

IXFQ60N25X3 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_60n25x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.96 грн
10+546.29 грн
100+455.26 грн
500+376.98 грн
1000+339.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ60N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFQ60N25X3 за ціною від 524.05 грн до 683.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFQ60N25X3 IXFQ60N25X3 Виробник : IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO3P; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO3P
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+683.04 грн
10+524.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ60N25X3 IXFQ60N25X3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.