Продукція > IXYS > IXFQ72N30X3
IXFQ72N30X3

IXFQ72N30X3 IXYS

IXF_72N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.42 грн
3+634.88 грн
10+525.68 грн
30+512.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ72N30X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO3P, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFQ72N30X3 за ціною від 462.04 грн до 964.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFQ72N30X3 IXFQ72N30X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+835.47 грн
10+689.48 грн
100+574.58 грн
500+475.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 IXFQ72N30X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_72N30X3_Datasheet.PDF MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.87 грн
10+723.83 грн
120+524.63 грн
510+466.96 грн
1020+462.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_72n30x3_datasheet.pdf.pdf
IXFQ72N30X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.47 грн
10+689.48 грн
100+574.58 грн
500+475.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ72N30X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_72N30X3_Datasheet.PDF
IXFQ72N30X3
Виробник: IXYS
MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.87 грн
10+723.83 грн
120+524.63 грн
510+466.96 грн
1020+462.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.