Продукція > IXYS > IXFQ90N20X3
IXFQ90N20X3

IXFQ90N20X3 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_90n20x3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+470.97 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ90N20X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFQ90N20X3 за ціною від 397.86 грн до 758.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+631.9 грн
2+ 420.7 грн
6+ 397.86 грн
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+758.28 грн
2+ 524.25 грн
6+ 477.44 грн
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : Littelfuse r.aspxphttp3a2f2fixapps.ixys.fdatasheet2fds100802c28ixfa.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товар відсутній
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : IXYS media-3323558.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній