Продукція > IXYS > IXFQ90N20X3
IXFQ90N20X3

IXFQ90N20X3 IXYS

IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+703.56 грн
3+587.64 грн
10+519.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFQ90N20X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFQ90N20X3 за ціною від 559.55 грн до 844.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : IXYS IXF_90N20X3.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.27 грн
3+732.29 грн
10+623.38 грн
30+559.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : Littelfuse r.aspxphttp3a2f2fixapps.ixys.fdatasheet2fds100802c28ixfa.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=EF17B718-D7DE-4F53-8035-337C9D3E0DE8&filename=Power-Semiconductor-Discrete-MOSFET-IXFP90N20X3-Datasheet Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ90N20X3 IXFQ90N20X3 Виробник : IXYS Power_Semiconductor_Discrete_MOSFET_IXFP90N20X3_Datasheet.pdf MOSFETs TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.