IXFQ94N30P3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1060.69 грн |
| 30+ | 624.55 грн |
| 120+ | 537.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFQ94N30P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, Dauer-Drainstrom Id: 94, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.04, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 1.04, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Polar3 HiPerFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFQ94N30P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ94N30P3 | IXYS |
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFQ94N30P3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)