IXFR102N30P

IXFR102N30P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr102n30p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+899.10 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR102N30P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR102N30P за ціною від 857.21 грн до 1170.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFR102N30P IXFR102N30P Виробник : IXYS IXFR102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+975.71 грн
3+857.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P Виробник : IXYS IXFR102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 60A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1170.86 грн
3+1068.22 грн
30+1008.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P Виробник : IXYS media-3319292.pdf MOSFETs 54 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.