Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFR102N30P
IXFR102N30P

IXFR102N30P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr102n30p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+881.69 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR102N30P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 51A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFR102N30P за ціною від 1016.27 грн до 1228.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFR102N30P IXFR102N30P IXYS IXFR102N30P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 250W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1228.68 грн
3+1016.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR102N30P IXFR102N30P.pdf
IXFR102N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 250W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1228.68 грн
3+1016.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.