IXFR140N20P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1153.85 грн |
| 30+ | 730.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR140N20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFR140N20P за ціною від 902.10 грн до 1479.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR140N20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR140N20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 75 Amps 200V 0.018 Rds |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR140N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFR140N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFR140N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |