IXFR140N30P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 300V
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhanced
Case: ISOPLUS247™
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1234.12 грн |
| 2+ | 1083.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR140N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFR140N30P за ціною від 1016.83 грн до 1682.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFR140N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Polarisation: unipolar Power dissipation: 300W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 28mΩ Drain current: 70A Drain-source voltage: 300V Kind of package: tube Gate charge: 185nC Kind of channel: enhanced Case: ISOPLUS247™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFR140N30P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFR140N30P | Виробник : IXYS |
MOSFET 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 308-317 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFR140N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 82A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
.jpg "IXFR140N30P") |
IXFR140N30P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
товар відсутній |