
IXFR140N30P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1720.72 грн |
5+ | 1573.82 грн |
10+ | 1426.09 грн |
50+ | 1282.85 грн |
100+ | 1145.97 грн |
250+ | 1123.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR140N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFR140N30P за ціною від 1213.14 грн до 1850.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR140N30P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFR140N30P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IXFR140N30P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IXFR140N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |