Продукція > IXYS > IXFR15N100Q3
IXFR15N100Q3

IXFR15N100Q3 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6ADD820&compId=IXFR15N100Q3.pdf?ci_sign=1631e85c6cd029ee05ddbc6ee962f904f9e0e8af Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.13 грн
3+1078.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR15N100Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR15N100Q3 за ціною від 1128.89 грн до 1619.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6ADD820&compId=IXFR15N100Q3.pdf?ci_sign=1631e85c6cd029ee05ddbc6ee962f904f9e0e8af Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1474.96 грн
3+1343.92 грн
120+1247.93 грн
270+1245.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : IXYS media-3320265.pdf MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1619.00 грн
10+1492.61 грн
30+1128.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr15n100q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfr15n100q3-datasheet?assetguid=3adfac1e-d1be-425c-9009-67a841b1bd7c Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.