Продукція > IXYS > IXFR15N100Q3
IXFR15N100Q3

IXFR15N100Q3 IXYS

IXFR15N100Q3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1075.13 грн
3+ 943.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR15N100Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR15N100Q3 за ціною від 955.76 грн до 1464.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : IXYS IXFR15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1290.16 грн
3+ 1176.34 грн
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr15n100q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1348.25 грн
10+ 1153.49 грн
100+ 1008.91 грн
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : IXYS media-3320265.pdf MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1464.13 грн
10+ 1282.94 грн
30+ 1040.3 грн
60+ 1038.32 грн
120+ 974.91 грн
510+ 955.76 грн
IXFR15N100Q3 IXFR15N100Q3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr15n100q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товар відсутній