Продукція > IXYS > IXFR180N10
IXFR180N10

IXFR180N10 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr180n10_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR180N10 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR180N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFR180N10 IXFR180N10 Виробник : IXYS media-3321627.pdf MOSFET 100V 165A
товар відсутній