на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1307.7 грн |
| 10+ | 1135.58 грн |
| 30+ | 908.2 грн |
| 60+ | 899.62 грн |
| 120+ | 871.87 грн |
| 270+ | 784.03 грн |
| 510+ | 758.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR180N15P IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR180N15P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR180N15P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|
 |
IXFR180N15P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 150V; 100A; 300W; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXFR180N15P") |
IXFR180N15P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFR180N15P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 150V; 100A; 300W; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |