IXFR18N90P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 200W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 948.03 грн |
| 3+ | 791.00 грн |
| 10+ | 695.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR18N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR18N90P за ціною від 752.09 грн до 1137.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 10.5A; Idm: 36A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 200W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.66Ω Mounting: THT Gate charge: 97nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar™ Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFR18N90P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 10.5A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
товару немає в наявності |