на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1240.22 грн |
| 2+ | 781.94 грн |
| 4+ | 739.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR18N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR18N90P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR18N90P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 900V 10.5A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|
.jpg "IXFR18N90P") |
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFR18N90P | Виробник : IXYS |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
товар відсутній |