Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFR200N10P

IXFR200N10P Littelfuse Inc.

Name: IXFR200N10P
Brand: Littelfuse Inc.
SKU: 1652030-3
Price: 903.15 UAH
Availability: InStock

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	903.15 грн
30+	786.27 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFR200N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR200N10P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFR200N10P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH Si 100V 133A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFR200N10P	Виробник : IXYS	MOSFETs 133 Amps 100V 0.0075 Rds	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFR200N10P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.