Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFR200N10P
IXFR200N10P

IXFR200N10P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr200n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.32 грн
30+741.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR200N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR200N10P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFR200N10P IXFR200N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR200N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 133 Amps 100V 0.0075 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR200N10P IXFR200N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 133
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR200N10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR200N10P_Datasheet.PDF
IXFR200N10P
Виробник: IXYS
MOSFETs 133 Amps 100V 0.0075 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR200N10P IXYS-S-A0008595655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFR200N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 133
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.