.jpg "IXFR200N10P")
IXFR200N10P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1216.87 грн |
| 30+ | 948.87 грн |
| 120+ | 893.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR200N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR200N10P за ціною від 755.74 грн до 1455.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR200N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFR200N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 133A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFR200N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 9mΩ Gate charge: 235nC Kind of channel: enhanced Drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFR200N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 9mΩ Gate charge: 235nC Kind of channel: enhanced Drain current: 120A Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W |
товар відсутній |