на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1974.19 грн |
| 2+ | 1867.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR20N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR20N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR20N120P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 13A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |
|
.jpg "IXFR20N120P") |
IXFR20N120P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFR20N120P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds |
товару немає в наявності |