IXFR230N20T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 156A; 600W; ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 156A
Case: ISOPLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2094.01 грн |
| 3+ | 1750.59 грн |
| 10+ | 1549.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR230N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFR230N20T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXFR230N20T") |
IXFR230N20T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFR230N20T | IXYS |
MOSFETs GigaMOS Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFR230N20T |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFR230N20T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs GigaMOS Power MOSFET
MOSFETs GigaMOS Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.